近日，理学院物理系上海市高温超导沉点尝试室博士生陈攀、高灿飞（共统一作）、吴文。ü餐骋蛔鳎┯牒献髡咴凇禞ournal of Colloid and Interface Science》（中科院一区TOP期刊）上颁发题为 “Charge transfer tunneling contacts for n-type monolayer semiconductor towards high performance electronics” 的钻研论文。文章的合作者有：彩运网理学院物理系尹鑫茂教授、邢凯健副教授、金腾宇博士、微电子学院李梦娇教授等。彩运网理学院物理系为第一实现单元和通讯单元。

针对未来下一代低功耗集成电路主题资料，单层过渡金属硫化物中持久存在的界面费米能级钉扎与高接触电阻这一行业共性瓶颈，本工作突破传统接触模式，提出了一种基于电荷转移调控的隧穿接触全新战术。该战术在美满保留二维半导体本征物理个性的前提下，攻克了无损构筑低势垒欧姆接触的关键科学难题，显著提升了载流子注入效能，为推动高机能二维半导体器件迈向现实利用提供了沉要的理论基础与创新范式。

本工作得到国度天然科学基金、上海市有关科研打算以及彩运网理学院量子资料新物态与器件创新钻研团队平台的支持。近年来，量子资料新物态与器件创新钻研团队面向量子资料基础物性与新型器件利用中的关键问题，建设了涵盖资料造备、微纳加工、低温输运、光谱表征和理论分析的综合钻研平台，为索求新资料、新物态及其职能器件提供了有力支持。

依附这一平台，尹鑫茂教授与邢凯健副教授课题组持久萦绕二维半导体及有关异质结构中的接触物理、界面电荷转移和载流子输运机造发展钻研，致力于成立资料电子结构与器件机能之间的内涵联系。本钻研提出的电荷转移隧穿接触战术，正是课题组在二维半导体界面工程方向上的沉要进展之一。未来，课题组将持续结合精密物性表征与微纳器件构筑，发展面向高机能、低功耗电子器件的新型界面调控步骤。

论文链接：https://doi.org/10.1016/j.jcis.2026.141051